<ruby id="z1brr"><menuitem id="z1brr"><dl id="z1brr"></dl></menuitem></ruby>
<ins id="z1brr"><noframes id="z1brr"><cite id="z1brr"></cite><ins id="z1brr"></ins>
<ins id="z1brr"></ins>
<cite id="z1brr"><noframes id="z1brr">
<cite id="z1brr"></cite>
<ins id="z1brr"><noframes id="z1brr"><del id="z1brr"></del><ins id="z1brr"></ins>
<var id="z1brr"><span id="z1brr"></span></var><ins id="z1brr"><noframes id="z1brr"><ins id="z1brr"></ins>
<del id="z1brr"><noframes id="z1brr"><del id="z1brr"></del>
<ins id="z1brr"></ins>

產品中心

SP6649DF

是一顆電流模式PWM控制芯片,內置650V高壓功率MOSFET,芯片可以工作在綠色模式,以此來減小輕載時的損耗,提高整機的工作效率。

詳細介紹 文檔與工具 樣品及購買

        SP6649DF是一顆電流模式PWM控制芯片,內置650V高壓功率MOSFET,芯片可以工作在綠色模式,以此來減小輕載時的損耗,提高整機的工作效率。

        SP6649DF在啟動和工作時只需要很小的電流,可以在啟動電路中使用一個很大的電阻,以此來進一步減小待機時的功耗。

        SP6649DF內置多種保護,包括逐周期限流保護(OCP),過載保護(OLP),過壓保護(VDD OVP),VDD過壓箝位,欠壓保護(UVLO),過溫保護(OTP)等,通過內部的圖騰柱驅動結構可以更好的改善系統的EMI特性和開關的軟啟動控制。

        SP6649DF采用SOP8封裝。

典型應用框圖

功能

 ● 全電壓范圍輸入時待機功耗小于75mW

 ● 內置650V高壓功率管

 ● 軟啟動可用來減少MOSFET上Vds的應力

 ● 抖頻功能,改善EMI性能

 ● 跳頻模式,改善輕載效率,減小待機功耗

 ● 無噪聲工作

 ● 固定65KHz開關頻率

 ● 內置同步斜坡補償

 ● 低啟動電流,低工作電流

 ● 內置前沿消隱(LEB)功能

 ● 過載保護(OLP),逐周期限流保護(OCP)

 ● VDD過壓保護(VDD OVP),欠壓保護(UVLO),VDD電壓箝位,過溫保護(OTP)

應用

 ● 充電器

 ● PDA、數碼相機、攝像機電源適配器

 ● 機頂盒電源

樣品及購買 樣片申請
推薦產品
国产三级在线观看播放,久久亚洲中文字幕无码,半夜翁公吃我奶第七十章